RJ1R10BBH
Nch 150V 105A, TO-263AB, パワーMOSFET
RJ1R10BBHはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0063
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0067
Total gate charge Qg[nC]
86
Power Dissipation (PD)[W]
181
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ)[ns]
170
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(TO263AB)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
- ハロゲンフリー
