RJ1L04BBG (新製品)
Nch 60V 100A, TO-263AB, パワーMOSFET
RJ1L04BBGはスイッチングやモーター用途、DC/DCコンバータに最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
100
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0046
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
4.5
Trr (Typ)[ns]
49
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(TO263AB)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
