RF4P060BG
Nch 100V 6A, HUML2020L8, パワーMOSFET
RF4P060BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.052
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.052
Total gate charge Qg[nC]
3.3
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Trr (Typ)[ns]
39
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
