ROHM Product Detail

RF4E110GN
4.5V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RF4E110GNTR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | HUML2020L8 (Single)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

DFN2020-8S

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

11

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0117

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0087

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0117

Total gate charge Qg[nC]

3.5

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4516

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ(HUML2020L8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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