RF4E060AJ
Nch 30V 6A ミドルパワーMOSFET
RF4E060AJはハイパワーパッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.041
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ(HUML2020L8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
