UT6ME5
100V 2.0A/1.0A, Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

UT6ME5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。独立した100V MOSFETを小型DFN2020-8Dパッケージに2素子複合しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | UT6ME5TCR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HUML2020L8 (Dual)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

DFN2020-8D

端子数

8

極性

Nch+Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.23

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.159

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.23

ゲート総電荷量 Qg [nC]

1.6

許容損失 PD [W]

2

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型面実装パッケージで省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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