US5U1
2.5V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | US5U1TR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TUMT5
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

SOT-353T

JEITAパッケージ

SC-113CA

端子数

5

極性

Nch+Schottky

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.24

ゲート総電荷量 Qg [nC]

1.6

許容損失 PD [W]

0.7

駆動電圧 [V]

2.5

逆方向電圧 (Diode)[V]

20

順方向電流 (Diode)[A]

0.5

サージ順方向電流 (Diode)[A]

2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

2.0x2.1 (t=0.82)

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特長:

・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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