QS8J13
-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET
QS8J13は低オン抵抗のミドルパワーMOSFETです。小型表面実装パッケージで省スペース化に貢献します。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-5.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
60
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
· 低オン抵抗· 小型面実装パッケージで省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー
