QH8KE6
Nch+Nch 100V 4A, TSMT8, パワーMOSFET
QH8KE6はスイッチングやモーター用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.043
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.055
Total gate charge Qg[nC]
3.3
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
