HT8KE6H (新製品)
100V 12.5A, Dual Nch+Nch, HSMT8, パワーMOSFET
HT8KE6Hはスイッチングやモーター用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
12.5
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.047
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.059
Total gate charge Qg[nC]
4.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ)[ns]
46
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
関連動画&カタログ
