RD3S100AAFRA
Nch 190V 10A パワーMOSFET
RD3S100AAFRAはスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。
主な仕様
特性:
パッケージコード
TO-252 (DPAK)
JEITAパッケージ
SC-63
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
190
ドレイン電流 (直流) ID [A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.136
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.136
ゲート総電荷量 Qg [nC]
52
許容損失 PD [W]
85
駆動電圧 [V]
4
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- RoHS準拠
- AEC-Q101 準拠
