デザインモデル
- RD3L150SNFRA SPICE Model
- PSpiceモデルのシンボル作成方法
特性データ
- RD3L150SNFRA ESD Data
RD3L150SNFRA
主な仕様
特性:
グレード
Automotive
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
パッケージコード
TO-252 (DPAK)
パッケージサイズ [mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
JEITAパッケージ
SC-63
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
15.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.036
ゲート総電荷量 Qg [nC]
18.0
許容損失 PD [W]
20.0
駆動電圧 [V]
4.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 駆動回路が簡単
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- AEC-Q101準拠
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- 熱設計とは
- 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
デザインモデル
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特性データ
- RD3L150SNFRA ESD Data
パッケージと品質データ
パッケージ情報
- 外形寸法図
- 標印仕様説明
- はんだ付け条件
- 耐湿レベルについて
- 耐ウィスカ性能について
環境データ
- UL難燃性について
- REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
- RoHS/ELV指令適合証明書
輸出関連情報
- 輸出貿易管理令について