ROHM Product Detail

新規設計非推奨

BR25G320FVM-3

32KBit, SPI BUS, 低消費電力 シリアルEEPROM
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BR25G320FVM-3

新規設計非推奨 BR25G320FVM-3
32KBit, SPI BUS, 低消費電力 シリアルEEPROM

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

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主な仕様

 
形名 | BR25G320FVM-3GTR
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | MSOP8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Series

BR25G-3

Density [bit]

32K

Bit Format [Word x Bit]

4K x 8

Vcc(Min.)[V]

1.6

Vcc(Max.)[V]

5.5

Circuit Current (Max.)[mA]

2

Standby Current (Max.)[μA]

0.1

Write Cycle (Max.)[ms]

5

Input Frequency (Max.)[Hz]

20M

Endurance (Max.)[Cycle]

106

Data Retention (Max.)[Year]

100

I/F

SPI BUS

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

85

Package Size [mm]

4.0x2.9 (t=0.9)

特長:

  • 最高速20MHz(Max)のクロック動作
  • HOLDB端子によるウェイト機能
  • プログラムによってメモリアレイの一部～全部を
    書き換え禁止(ROM)領域に設定可能
  • 1.6V～5.5V単一動作でバッテリーユースにも最適
  • ページライトモード最大32Byte
  • SPI BUSインタフェース
    (CPOL,CPHA)=(0,0)、(1,1) に対応
  • データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
  • 低消費電流
    • ライト動作時 (5V時) ： 0.5mA (Typ)
    • リード動作時 (5V時) ： 2.0mA (Typ)
    • 待機時 (5V時) ： 0.1µA (Typ)
  • 読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
  • 誤書き込み防止機能
    • 電源投入時の書き込み禁止
    • 命令コード(WRDI)による書き込み禁止
    • WPBピンによる書き込み禁止
    • ステータスレジスタ(BP1,BP0)による書き込み禁止ブロックの設定
    • 低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵
  • 100年間のデータ保持が可能
  • 1,000,000回のデータ書き換えが可能
  • ビット形式 4K×8
  • 出荷時データ
    メモリアレイ ： FFh
    ステータスレジスタ ： WPEN, BP1, BP0：0
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