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105°C動作 SPI BUS EEPROM - BR25A512FVT-3M

BR25A512FVT-3Mは、512Kbit SPI BUSインタフェースのシリアルEEPROMです。

形名 | BR25A512FVT-3MGE2
供給状況 | 供給中
パッケージ | TSSOP-B8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Automotive

I/F

SPI BUS

容量 [bit]

512K

ビット構成 [Word x Bit]

64K x 8

パッケージ

TSSOP-B8

動作温度範囲(Min.)[°C]

-40

動作温度範囲(Max.)[°C]

105

Vcc(Min.)[V]

2.5

Vcc(Max.)[V]

5.5

動作時回路電流 (Max.)[mA]

4.0

待機時回路電流 (Max.)[μA]

10.0

書き込みサイクル時間 (Max.)[ms]

5.0

入力周波数 (Max.)[Hz]

10M

書き換え回数 (Max.)[Cycle]

106

データ保持 (Max.)[Year]

100

特長:

  • 最高速10MHz (Max) のクロック動作
  • HOLDB端子によるウェイト機能
  • プログラムによってメモリアレイの一部~全部を
    書き換え禁止 (ROM) 領域に設定可能
  • 2.5V ~ 5.5V 単一電源動作
  • ページライトモード最大128Byte
  • SPI BUSインタフェース (CPOL,CPHA) = (0,0) 、(1,1) に対応
  • データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
  • 低消費電流
    ・ライト動作時(5V時): 0.7mA (Typ)
    ・リード動作時(5V時): 2.4mA (Typ)
    ・待機時(5V時): 0.1µA (Typ)
  • 読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
  • 誤書き込み防止機能
    ・電源投入時の書き込み禁止
    ・命令コード (WRDI) による書き込み禁止
    ・WPBピンによる書き込み禁止
    ・ステータスレジスタ (BP1,BP0) による
    ・書き込み禁止ブロックの設定
    ・低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵
  • 100年間のデータ保持が可能
  • 1,000,000回のデータ書き換えが可能
  • ビット形式64K×8
  • 出荷時データ
    メモリアレイ:FFh
    ステータスレジスタ:WPEN, BP1, BP0:0