BM63767S-VA
高速スイッチング用途向け600V IGBT搭載 インテリジェントパワーモジュール(IPM)

ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用ファストリカバリダイオードを1 パッケージに搭載したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | BM63767S-VA
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSDIP25
包装数量 | 60
最小個装数量 | 60
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

パワーデバイス

IGBT

VCES [V]

600

IC [A]

30

Vce(sat) [V]

1.7

推奨スイッチング周波数[kHz]

~20

絶縁耐圧[Vrms]

1500

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

特長:

  • DC入力、3相AC出力IGBTインバータ
  • 600V/30A
  • 下側IGBTオープンエミッタ
  • ブートストラップダイオード内蔵
  • 上側IGBTゲートドライバ(HVIC):SOI(Silicon On Insulator)プロセス採用、駆動回路、高圧レベルシフト回路、ブートストラップダイオード電流制限回路、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)
  • 下側IGBTゲートドライバ(LVIC):駆動回路、短絡電流保護回路(SCP)、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)、熱遮断回路(TSD)
  • エラー出力(LVIC)下側IGBT用SCP、TSD、UVLO動作時エラー出力
  • 入力インタフェース3.3V,5V系対応

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング波形のモニタ方法

熱設計

  • 熱設計とは
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 実装仕様書
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
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輸出関連情報

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