BM63767S-VA
高速スイッチング用途向け600V IGBT搭載 インテリジェントパワーモジュール(IPM)
ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用ファストリカバリダイオードを1 パッケージに搭載したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。
主な仕様
特性:
パワーデバイス
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
30
Vce(sat) [V]
1.7
推奨スイッチング周波数[kHz]
～20
絶縁耐圧[Vrms]
1500
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-40
保存温度範囲 (Max.)[℃]
125
パッケージサイズ [mm]
38x24 (t=3.75)
特長:
- DC入力、3相AC出力IGBTインバータ
- 600V/30A
- 下側IGBTオープンエミッタ
- ブートストラップダイオード内蔵
- 上側IGBTゲートドライバ(HVIC)：SOI(Silicon On Insulator)プロセス採用、駆動回路、高圧レベルシフト回路、ブートストラップダイオード電流制限回路、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)
- 下側IGBTゲートドライバ(LVIC)：駆動回路、短絡電流保護回路(SCP)、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)、熱遮断回路(TSD)
- エラー出力(LVIC)下側IGBT用SCP、TSD、UVLO動作時エラー出力
- 入力インタフェース3.3V,5V系対応
