パッケージ情報
- 実装仕様書
- 耐ウィスカ性能について
製造データ
- 信頼性試験結果
環境データ
- 構成物質一覧表
- UL難燃性について
- ELV指令適合証明書
- REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
輸出関連情報
- 米国輸出規制 (EAR) について
ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用ファストリカバリダイオードを1 パッケージに搭載したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。コンプレッサ駆動のような低速スイッチング用途(~6kHz)向けに導通損失を低減した低飽和電圧IGBT を採用しています。高速スイッチングで駆動される場合は、高速スイッチング用途向けシリーズをご検討ください。
パワーデバイス
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
15
Vce(sat) [V]
1.5
推奨スイッチング周波数[kHz]
~6
絶縁耐圧[Vrms]
1500
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-40
保存温度範囲 (Max.)[℃]
125