RGW80TK65E
超高速スイッチングタイプ, 650V 40A, FRD内蔵, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
RGW80TK65E
超高速スイッチングタイプ, 650V 40A, FRD内蔵, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
RGW80TK65Eは高速度スイッチングが特長のIGBTです。PFC、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IHなどのアプリケーションに最適です。
主な仕様
特性:
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
23
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
34
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
81
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
