RGW00TS65CHR (新製品)
超高速スイッチングタイプ, 650V 50A, TO-247N, SiC-SBD内蔵 Hybrid IGBT

RGWxx65Cシリーズは還流ダイオードにSiCショットキーバリアダイオードを採用して低損失化を実現した、650V耐圧のIGBTです。本製品は車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しています。xEVの車載充電器(オンボードチャージャー)やDC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、無停電電源装置(UPS)といった過酷な環境下でも安心して使用することができます。

主な仕様

 
形名 | RGW00TS65CHRC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

標準規格

AEC-Q101 (Automotive Grade)

シリーズ

W: High speed fast SW

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

50

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

40

ダイオード 内蔵

SiC-SBD

Pd [W]

254

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • AEC-Q101 Qualified
  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(IGBT)
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RGW00TS65CHR SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • RGW00TS65CHR Thermal Model
  • RGW00TS65CHR SPICE Model

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について