RGW00TS65CHR
超高速スイッチングタイプ, 650V 50A, TO-247N, SiC-SBD内蔵 Hybrid IGBT
RGWxx65Cシリーズは還流ダイオードにSiCショットキーバリアダイオードを採用して低損失化を実現した、650V耐圧のIGBTです。本製品は車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しています。xEVの車載充電器（オンボードチャージャー）やDC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、無停電電源装置（UPS）といった過酷な環境下でも安心して使用することができます。
主な仕様
特性:
シリーズ
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100℃) [A]
50
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
40
ダイオード 内蔵
SiC-SBD
Pd [W]
254
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16.0x25.0 (t=5.2)
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- AEC-Q101 Qualified
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
製品概要
背景
近年、「脱炭素社会」や「カーボンニュートラル」など、環境負荷低減に向けた世界的な取り組みの中で、電動化車両（xEV）の普及が進んでいます。より効率的なシステム構築のために、各種車載機器のインバータ・コンバータ回路に搭載されるパワー半導体にも多様化が求められており、超低損失のSiCパワーデバイス（SiC MOSFET、SiC SBDなど）や従来のSiパワーデバイス（IGBT、SJ-MOSFETなど）で、それぞれ技術革新が進んでいます。
ロームは、幅広いアプリケーションに合わせて効果的なパワーソリューションを提供すべく、業界をリードするSiCパワーデバイスだけでなく、Siパワーデバイスや駆動ICの技術・製品開発にも注力しています。今回は、普及帯の車載・産業機器に適したパフォーマンスを提供できるHybrid IGBTを開発しました。
概要
「RGWxx65Cシリーズ」は、IGBTの帰還部（還流ダイオード）に、ロームの低損失SiCショットキーバリアダイオード（SiC SBD）を採用したHybrid型のIGBTであり、従来品IGBTからON時のスイッチング損失（以下、ターンオン損失を大きく削減することに成功しました。車載充電器に搭載した場合、従来品IGBT比では67%の低損失化、Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）比でも24%の低損失化を達成できるなど、コストパフォーマンス良く車載・産業機器アプリケーションの低消費電力化に貢献します。
購入
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特長
1. 従来品IGBT比67%の低損失化を実現し、普及帯の車載電装機器・産業機器に最適なコストパフォーマンスを提供
「RGWxx65Cシリーズ」は、IGBTの帰還部（還流ダイオード）に、ロームの低損失SiC SBDを採用したHybrid型のIGBTです。Siファストリカバリダイオード（Si-FRD）を採用している従来品IGBTより、ターンオン損失を大幅に削減することに成功しており、車載充電器搭載時には、従来品IGBT比で67%の低損失化を実現。一般的にIGBTより損失の少ないSJ-MOSFETよりも24%低損失化が可能です。変換効率においても幅広い動作周波数で97%以上の高効率を確保でき、動作周波数100kHz時にはIGBT比で3%の高効率化を実現するなど、コストパフォーマンス良く車載・産業機器アプリケーションの低消費電力化に貢献します。
2. AEC-Q101に準拠で、過酷な環境下で使用可能
「RGWxx65Cシリーズ」は、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しており、車載・産業機器の過酷な環境下でも安心して使用することが可能です。
アプリケーション例
- ・車載充電器（オンボードチャージャー）
- ・車載DC/DCコンバータ
- ・太陽光発電インバータ（パワーコンディショナー）
- ・無停電電源装置（UPS）
