RGTV80TS65
短絡耐量 2µs, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT

RGTV80TS65は低VCE(sat)、低スイッチング損失のIGBTです。PFC、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IHなどのアプリケーションに最適です。RGTVシリーズは短絡耐量が2μs (Min)の耐量を持ちながらスイッチング損失が少なく、またスイッチング速度も高いことも特長です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RGTV80TS65GC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

TV: For inverter (tsc 2µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

40

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

45

tsc(Min.) [us]

2

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching & Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 2μs
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
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新商品一覧

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

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  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
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モデルとツール

デザインモデル

  • RGTV80TS65 SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • RGTV80TS65 SPICE Model
  • RGTV80TS65 Thermal Model (lib)

パッケージと品質データ

パッケージ情報

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環境データ

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輸出関連情報

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