RGTV00TS65D
短絡耐量 2µs, 650V 50A, FRD内蔵, TO-247N, Field Stop Trench IGBT

RGTV00TS65Dは低VCE(sat)、低スイッチング損失のIGBTです。PFC、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IHなどのアプリケーションに最適です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGTV00TS65DGC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

TV: For inverter (tsc 2µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

50

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

38

tsc(Min.) [us]

2

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

276

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

16x21 (t=5.2)

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特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching & Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 2μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant