RGTH80TS65
高速度スイッチングタイプ, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RGTH80TS65GC13
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247GE
包装数量 | 600
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

TH: High speed SW

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

40

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.6

tf(Typ.) [ns]

47

Pd [W]

234

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
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新商品一覧

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは（IGBT）
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RGTH80TS65 SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • RGTH80TS65 SPICE Model
  • RGTH80TS65 Thermal Model (lib)

パッケージと品質データ

パッケージ情報

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製造データ

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環境データ

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輸出関連情報

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