高速度スイッチングタイプ, 650V 25A, FRD内蔵, TO-247N, Field Stop Trench IGBT - RGTH50TS65D
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
×
特性:
シリーズ
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100℃) [A]
25
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
174
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant