650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGTH00TS65D | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
Rohm Productdetail
650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGTH00TS65D
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
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特性:
シリーズ
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
50
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
277
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant