650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGTH00TS65D | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

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650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGTH00TS65D

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

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形名 | RGTH00TS65DGC11

供給状況 | 供給中

パッケージ | TO-247N

包装数量 | 450

最小個装数量 | 450

包装形態 | バルク

RoHS | Yes

特性:

シリーズ

TH: High speed SW

V_CES [V]

650

I_C(100°C) [A]

V_CE(sat)(Typ.) [V]

1.6

tf(Typ.) [ns]

ダイオード内蔵

FRD

Pd [W]

277

BV_CES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

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