RGTH00TS65D
高速度スイッチングタイプ, 650V 50A, FRD内蔵, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
主な仕様
特性:
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
277
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.94 (t=5.22)
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
