ROHM Product Detail

新規設計非推奨

RGT8TM65D

短絡耐量 5µs, 650V 4A, FRD内蔵, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
データシート
RGT8TM65D

新規設計非推奨 RGT8TM65D
短絡耐量 5µs, 650V 4A, FRD内蔵, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

データシート
データシート

主な仕様

 
形名 | RGT8TM65DGC9
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | TO-220NFM
包装形態 | チューブ
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 0
RoHS | Yes

特性:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

3

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

71

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

16

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.0x10.0 (t=4.8)

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
推奨製品検索
X

Most Viewed