650V 4A Field Stop Trench IGBT - RGT8TM65D | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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650V 4A Field Stop Trench IGBT - RGT8TM65D
RGT8TM65Dは低VCE(sat)のField Stop Trench IGBTです。インバータ、UPS、パワーコンディショナー、溶接などの用途に最適です。
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特性:
シリーズ
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
3
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
71
tsc(Min.) [us]
5
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
16
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant