RGT8NS65D(TO-262)
短絡耐量 5µs, 650V 4A, FRD内蔵, TO-262, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGT8NS65DGC9
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TO-262
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 50
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

4

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

71

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

65

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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特長:

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