RGT50TM65D
短絡耐量 5µs, 650V 25A, FRD内蔵, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT

RGT50TM65Dは低VCE(sat)のField Stop Trench IGBTです。インバータ、UPS、パワーコンディショナー、溶接などの用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RGT50TM65DGC9
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-220NFM
包装数量 | 1000
最小個装数量 |
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

13

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

47

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

10.0x15.0(t=4.5)

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
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デザインリソース

 

技術記事

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  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

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デザインモデル

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