RGT40TS65D
短絡耐量 5µs, 650V 20A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
主な仕様
特性:
シリーズ
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100℃) [A]
20
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
60
tsc(Min.) [us]
5
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
144
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
15.94x20.95 (t=5.02)
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
