RGT40NS65D(LPDS)
短絡耐量 5µs, 650V 20A, FRD内蔵, LPDS, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGT40NS65DGTL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | LPDS
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

20

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

60

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

161

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

デザインリソース

 

ドキュメント

アプリケーションノート

  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(IGBT)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RGT40NS65D(LPDS) SPICE Model
  • RGT40NS65D(LPDS) Thermal Model (lib)

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について