650V 10A Field Stop Trench IGBT - RGT20NL65
RGT20NL65は低VCE(sat)・低スイッチング損失のIGBTです。インバータ、UPS、パワーコンディショナ、溶接機などのアプリケーションに最適です。
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特性:
シリーズ
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
10
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
104
tsc(Min.) [us]
5
Pd [W]
106
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant