短絡耐量 5µs, 650V 8A, FRD内蔵, TO-262, Field Stop Trench IGBT - RGT16NS65D(TO-262)

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RGT16NS65DGC9
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-262
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 50
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

8

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

94

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant