650V 8A Field Stop Trench IGBT - RGT16NS65D(TO-262) | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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650V 8A Field Stop Trench IGBT - RGT16NS65D(TO-262)
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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特性:
シリーズ
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
8
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
95
tsc(Min.) [us]
5
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
94
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant