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650V 8A Field Stop Trench IGBT - RGT16BM65D

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RGT16BM65DTL
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C) [A]

8

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

94

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant