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650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGS00TS65DHR

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

形名 | RGS00TS65DHRC11
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

S: For inverter, Automotive (tsc 8-10µs)

VCES [V]

650

IC(100°C) [A]

50

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

91

tsc(Min.) [us]

8

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

326

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Short Circuit Withstand Time 8μs
  • Qualified to AEC-Q101
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant