650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGS00TS65DHR | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan
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650V 50A Field Stop Trench IGBT - RGS00TS65DHR
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
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特性:
シリーズ
S: For inverter, Automotive (tsc 8-10µs)
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
50
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
91
tsc(Min.) [us]
8
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
326
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Short Circuit Withstand Time 8μs
- Qualified to AEC-Q101
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant