RGCL80TS60D
低VCE(sat) タイプ, 600V 40A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
主な仕様
特性:
シリーズ
CL: Low VCE(sat)
VCES [V]
600
IC(100℃) [A]
40
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.4
tf(Typ.) [ns]
204
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
148
BVCES(Min.) [V]
600
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
15.94x20.95 (t=5.02)
特長:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
