主な仕様
特性:
シリーズ
C: Reverse Conducting
VCES [V]
1800
IC(100℃) [A]
40
VCE(sat)(Typ.) [V]
2.2
tf(Typ.) [ns]
55
ダイオード 内蔵
Integrated
BVCES(Min.) [V]
1800
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16.0x25.0 (t=5.2)
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Monolithic Body Diode with Low Forward Voltage
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant