ROHM Product Detail

GNP3120TJ-Z (新製品)
EcoGaN™, 650V 14A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT

GNP3120TJ-Zは、650V耐圧のエンハンスメントモードGaN HEMTです。高周波コンバータや高密度電源といったアプリケーションに適しています。GaNの高速スイッチング性能を最大限に活かすことで、アプリケーションの低消費電力化、周辺部品の小型化、設計工数と部品点数の削減を同時に目指した、省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™製品です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | GNP3120TJ-ZE1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO252-J3F
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

650

IDS [A]

14

VGS Rating [V]

7

RDS(on) [mΩ]

120

Qg [nC]

2.1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Dimensions [mm]

6.6x10.1 (t=2.38)

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特長:

  • 650V E-mode GaN HEMT
  • 120mΩ Resistance
  • 2.1nC Gate Charge
  • HBM ESD Class 1C (JEDEC standard)
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