GNP3120TJ-Z (新製品)
EcoGaN™, 650V 14A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3120TJ-Z (新製品)
EcoGaN™, 650V 14A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3120TJ-Zは、650V耐圧のエンハンスメントモードGaN HEMTです。高周波コンバータや高密度電源といったアプリケーションに適しています。GaNの高速スイッチング性能を最大限に活かすことで、アプリケーションの低消費電力化、周辺部品の小型化、設計工数と部品点数の削減を同時に目指した、省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
14
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
120
Qg [nC]
2.1
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
6.6x10.1 (t=2.38)
特長:
- 650V E-mode GaN HEMT
- 120mΩ Resistance
- 2.1nC Gate Charge
- HBM ESD Class 1C (JEDEC standard)