GNP2250TB-Z (新製品)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2250TB-Z (新製品)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2250TB-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。 GaN HEMT用のゲートドライバはこちら → GaN用ゲートドライバ
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
250
Qg [nC]
1.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=0.9)
特長:
- 650V E-mode GaN HEMT
- 250mΩ Resistance
- 1.2nC Gate Charge