ROHM Product Detail

新規設計非推奨 GNP2130TEC-Z
EcoGaN™, 650V 14.5A DFN8080CK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

データシート
データシート

主な仕様

 
形名 | GNP2130TEC-ZE2
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | DFN8080CK
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3500
最小個装数量 | 3500
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

650

IDS [A]

14.5

VGS Rating [V]

6.5

RDS(on) [mΩ]

130

Qg [nC]

2.8

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Dimensions [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

特長:

  • 650V E-mode GaN HEMT
  • 130mΩ Resistance
  • 2.8nC Gate Charge

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - GNP2130TEC-1-EVK-001

    • GaNの高速スイッチングを扱い、優れた低スイッチング性能や放熱性を実現するために、様々な条件で評価を行う必要があります。しかしながら、評価環境を適切に構築することは簡単なことではありません。そこで、スイッチング特性を評価するための、動作条件を最適化したGaN評価用100W EVKを作成しました。

    • User's Guide
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