新規設計非推奨
GNP2025TD-Z
EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2025TD-Z
新規設計非推奨
GNP2025TD-Z
EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
59.7
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
25
Qg [nC]
13.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
11.68x9.9 (t=2.4)
特長:
- 650V E-mode GaN HEMT
- 25mΩ Resistance
- 13.2nC Gate Charge
