ROHM Product Detail

最終販売

BM3G015MUV-LB

Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT パワーステージIC
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BM3G015MUV-LB

最終販売 BM3G015MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT パワーステージIC

製造中止を申請中の製品です。

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主な仕様

 
形名 | BM3G015MUV-LBE2
供給状況 | 最終販売
パッケージ | VQFN046V8080
包装形態 | テーピング
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
RoHS | Yes

特性:

Vin (Min.)[V]

-0.6

Vin (Max.)[V]

30

Operating Current@130 kHz(Typ) [μA]

450

Quiescent Current (Typ) [μA]

150

Switching Frequency(Max)[MHz]

2

Turn-on Delay Time(Typ)[ns]

11

Turn-off Delay Time(Typ)[ns]

15

Temperature (Min.)[°C]

-40

Temperature (Max.)[°C]

105

ON State Resistance(Typ)[mΩ]

150

Package Size [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

Application

Networking, Server

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Min.)[°C]

150

特長:

  • Nano Cap™搭載 出力を選択可能な5V LDO
  • 産業機器に適した長期の供給保証
  • 広い動作範囲のVDD端子電圧
  • 広い動作範囲のIN端子電圧
  • 低VDD静止及び動作電流
  • 低伝搬遅延
  • 高いdv/dt耐性
  • 調整可能なゲート駆動強度
  • PowerGood信号出力
  • VDD UVLO保護
  • サーマルシャットダウン保護

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - BM3G015MUV-EVK-003

    • BM3G015MUV-EVK-003評価ボードは、BM3G015MUV(GaN FET(650V 150mΩ)、ドライバと保護回路を内蔵)と周辺部品を搭載した基板です。この評価ボードは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。

    • User's Guide
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