YQ3VWM10BTF (新製品)
トレンチMOS構造, 100V, 3A, PMDE, 車載用 高効率パワーSBD
YQ3VWM10BTF (新製品)
トレンチMOS構造, 100V, 3A, PMDE, 車載用 高効率パワーSBD
YQ3VWM10BTFは低VFと低IRのトレードオフ改善を突き詰めた高効率なショットキーバリアダイオードです。低VFでありながら高温動作時の安定動作を実現しています。スイッチング電源やフリーホイールダイオード、逆接続保護の用途に最適です。
主な仕様
特性:
Configuration
Single
Package Code
PMDE
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.88
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- 高信頼性
- 小型パワーモールド
- 低VF/低IR
- 低容量
関連動画&カタログ
