YQ20NL10SD (開発中)
トレンチMOSバリア構造, 100V, 20A, LPDL, 高効率パワーSBD
YQ20NL10SDは低VFと低IRのトレードオフ改善を突き詰めた高効率なショットキーバリアダイオードです。低VFでありながら高温動作時の安定動作を実現しています。スイッチング電源やフリーホイールダイオード、逆接続保護の用途に最適です。
主な仕様
特性:
Configuration
Single
パッケージコード
TO-263L
端子数
3
尖頭逆方向電圧 VRM [V]
100
直流逆方向電圧 VR [V]
100
平均整流電流 IO[A]
20
尖頭順サージ電流 IFSMシングル[A]
150
順方向電圧 VF(Max.) [V]
0.96
IF @順方向電圧 VF[A]
20
逆方向電流 IR(Max.) [mA]
0.07
VR @逆方向電流 IR [V]
100
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.) [℃]
150
パッケージサイズ [mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
特長:
- 高信頼性
- パワーモールド
- 低VF / 低IR
- 低容量
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