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NEDOグリーンイノベーション基金事業の技術目標を2年前倒しで達成
８インチSiC MOSFET製造体制の構築完了

ローム株式会社（以下、ローム）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（以下、NEDO）が公募した「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトの研究開発項目「次世代パワー半導体デバイス製造技術開発」において「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」(以下、本事業) をテーマに研究開発に取り組み、当初計画の2027年度末から2年前倒しで技術目標を達成し、事業が完了したことをお知らせします。

今回ロームは、8インチSiCウエハに対応したエピタキシャル成長技術及び低オン抵抗化技術を確立するとともに、これら要素技術を統合した8インチSiC製造ラインの開発に成功しました。また、本ラインで製造したデバイスをローム内製モジュールへ搭載し、性能評価を実施した結果、目標性能を達成したことが外部有識者により構成されたNEDOの委員会にて確認されました。

グリーンイノベーション基金は、2020年12月25日に経済産業省が関係省庁と策定した「2050年カーボンニュートラルに伴うグリーン成長戦略」において「経済と環境の好循環」を作り出すために造成された基金です。「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトは、カーボンニュートラル社会の実現に不可欠なデジタルインフラの省エネ化・高性能化に向けた研究開発・社会実装を進めることを目的としています。

ロームは2022年に本事業に採択*1されて以降、市場動向を踏まえ、開発した技術・製品の競争力確保に向けて早期の社会実装が必要と認識し、研究開発を強化してまいりました。その結果、プロジェクト目標を前倒しで達成し、当初計画より2年早く社会実装フェーズへの移行が可能となりました。

本事業で研究・開発した８インチラインで製造するSiC MOSFETは低オン抵抗化・歩留まりの向上により競争力の強化が期待されています。今後、８インチSiC製造ラインでの本格生産を進め、さまざまな機器の省エネ・小型化に貢献することで、持続可能な社会の実現に寄与してまいります。

*1)「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」がNEDOグリーンイノベーション基金事業に採択 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor