10Gbps超の高速I/Fに対応するESD保護ダイオードを開発

※2026年3月26日ローム調べ

2026年3月26日

＜要旨＞

ローム株式会社（本社：京都市）は、業界トップクラス^※の低ダイナミック抵抗（R_dyn）^*1と超低容量を両立したESD（静電気放電）保護ダイオード^*2「RESDxVxシリーズ」を開発しました。高速データ通信を用いる幅広いアプリケーションに使用できます。
10Gbpsを超える高速通信インターフェースには、信号劣化を最小限に抑制しながら高いIC保護性能を発揮できるESD保護ダイオードが求められています。新製品は、端子間容量^*3が0.24pF（双方向）および0.48pF（単方向）という超低容量を実現しました。また、トレードオフの関係にあるダイナミック抵抗を0.28Ωまで低減。一般品と比較してクランプ電圧^*4を約40%抑制し、高いIC保護性能を確保しました。

AIサーバーや5G/6G通信機器などの産業機器、ノートPCやゲーム機といった民生機器など、高速データ通信を用いる様々な機器の信頼性向上に貢献します。また、DFN1006-2Wパッケージを採用した「RESDxVxBASAFH」と「RESDxVxUASAFH」は、車載信頼性規格のAEC-Q101に準拠しています。SerDes^*5通信を用いるADAS（先進運転支援システム）やAD（自動運転）用カメラ、ECU（電子制御ユニット）などにも展開可能です。
本製品は、2026年3月から量産を開始しています（サンプル価格70円/個：税抜）。インターネット販売にも対応しており、ROHM Online Storeのほか、チップワンストップやコアスタッフオンラインなどから購入することができます。
今後もロームは、低容量ESD保護ダイオードやTVSダイオードのラインアップを強化していきます。AIサーバーや通信インフラ、自動運転システムといったエレクトロニクス技術の発展に寄与し、安全・安心で快適なデジタル社会の実現に貢献していきます。

＜背景＞

近年、産業機器および車載市場では、高速信号伝送の普及や電装機器の小型・高性能化が進んでいます。これに伴い、システム（基板・モジュール）レベルで求められるESD対策は年々厳しさを増しています。一方で、高機能化・微細化の進展により、ICの過電圧（EOS）およびESD耐性は低下傾向にあるため、高速通信における信号劣化を抑える「低容量」と「低ダイナミック抵抗による高いIC保護性能」を両立した外付けESD保護素子の需要が高まっています。
特に10Gbps以上の次世代通信では、わずかな寄生容量の差が通信波形に大きな影響を与えます。しかし、寄生容量を小さくするとダイナミック抵抗とのトレードオフが生じるため、通信品質とIC保護を両立することが課題となっていました。
そこでロームはこの課題を解決し、さらなる高速通信に対応した製品として、より低容量かつダイナミック抵抗を抑えたRESDxVxシリーズを開発しました。

＜製品ラインアップ＞

品番	Data Sheet	絶対最大定格 (Ta=25℃)			電気的特性 (Ta=25℃)				極性	車載対応 AEC-Q101	パッケージ [mm]
品番	Data Sheet	ピークパルス電流 I_PP (Max.) [A]	ESD 耐量 V_ESD (Max.) [kV]	接合部温度 Tj (Max.) [℃]	スタンドオフ電圧 V_RWM (Max.) [V]	ブレークダウン電圧 V_BR (Typ.) [V]	ダイナミック抵抗 R_dyn (Typ.) (I_pp=10A) [Ω]	端子間容量 Ct (Typ.) (f=1MHz) [pF]	極性	車載対応 AEC-Q101	パッケージ [mm]
RESD3V3BAED		±6	±15	150	3.3	±9.0	0.28	0.22	双方向	－	DSN0603-2J (0.6×0.3, H=Max.0.3)
RESD5V0BAED		±6			5.0	±9.0	0.28	0.22	双方向	－
☆RESD3V3UAED	-	6			3.3	8.3	0.15	0.48	単方向	－
☆RESD5V0UAED	-	6			5.0	8.3	0.15	0.48	単方向	－
☆RESD3V3BCED	-	±6	±14		3.3	±7.0	0.36	0.28	双方向	－
☆RESD3V6BCED	-	±6			3.6	±7.0	0.36	0.28	双方向	－
RESD3V3UCED		6			3.3	6.3	0.17	0.55	単方向	－
RESD3V6UCED		6			3.6	6.3	0.17	0.55	単方向	－
RESD3V3BASAFH		±6	±15	150	3.3	±9.0	0.30	0.24	双方向	✓	DFN1006-2W (1.0×0.6, H=Max.0.4)
RESD5V0BASAFH		±6			5.0	±9.0	0.30	0.24	双方向	✓
RESD3V3UASAFH		6			3.3	8.0	0.25	0.48	単方向	✓
RESD5V0UASAFH		6			5.0	8.0	0.25	0.48	単方向	✓

☆ : 開発中

＜アプリケーション例＞

USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、および車載SerDes、車載イーサネット（10/100/1000Mbps）などの各種インターフェース搭載機器に使用できます。
◆産業機器：AIサーバー、データセンタ、ルータ、光トランシーバ、5G/6G通信対応基地局、FA機器用カメラなど
◆民生機器：PC、サーバー、USBドングル、スマートフォン、タブレット、ゲーム機、AV機器、通信用アンテナなど
◆車載機器：ADAS（先進運転支援システム） / AD（自動運転） / サラウンドビュー / リヤビュー向けカメラ、車載インフォテインメントシステム、ボディ制御ECU、ヘッドユニット（オーディオ、ディスプレー）など

＜インターネット販売情報＞

販売開始時期：2026年3月から
ROHM Online Store、チップワンストップ、コアスタッフオンライン
それ以外のネット商社からも順次発売していきます。

1個から購入可能

販売品
DSN0603-2Jパッケージ：RESD3V3BAED、RESD5V0BAED、RESD3V3UCED、RESD3V6UCED
DFN1006-2Wパッケージ：RESD3V3BASAFH、RESD5V0BASAFH、RESD3V3UASAFH、RESD5V0UASAFH

＜用語説明＞

*1) ダイナミック抵抗（Dynamic Resistance）: ESD保護ダイオードがICを保護しているときに、電流の変化に対してどれだけ電圧が増えるかを示す指標で動作抵抗とも呼ぶ。値が小さいほど、同じ放電電流が流れても端子電圧の上昇を小さく抑えられるため、ICにかかる電気的ストレスを軽減し、保護性能を高めることができる。
*2) ESD保護ダイオード: 過電圧やサージ、ESD（Electro-Static Discharge：静電気放電）から回路を保護するための半導体素子。突発的な電圧や電流のスパイク（サージ）を吸収し、回路の破損や誤動作を防ぐ。車載環境では、過酷な電気的変動に対する保護が重要となる。
*3）端子間容量（Capacitance Between Terminals）: 電子部品において発生する不要な容量成分。端子間容量が大きいと高速通信時に信号が劣化するため、車載通信では端子間容量を低減することが重要となる。
*4) クランプ電圧: ESD保護ダイオードがサージなどによる過電圧を抑制する際に、回路内で維持される電圧。この電圧が低いほど、回路や機器をより効果的に保護でき、車載機器の信頼性を高める。
*5) SerDes: 対になる2つのICを用いて大容量データを高速伝送することができる通信方式。送信側のシリアライザ（Serializer）が、複数のデジタル信号データを1本の高速な直列信号にまとめて送り出し、これを受信したデシリアライザ（Deserializer）が元のデータに復元する。大量のデータを数Gbpsから数十Gbpsの高速で通信できるため、PCやサーバー、車載カメラ映像などの高速インターフェースで広く用いられる。

＜新製品プレゼン"Featured Products"＞

高速インターフェース対応
ESD保護ダイオード RESDxVxシリーズ（PDF:1.2MB）

この件に関するお問い合わせはこちら

ROHM Header

ローム株式会社 - ROHM Semiconductor

ROHM News Detail