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ローム、NVIDIAの800Vアーキテクチャに最適なソリューションを提供
～AIサーバー、データセンターの技術革新に貢献～

2025年6月13日

パワー半導体の技術開発をリードするロームは、このたび次世代AIデータセンター向け800V電力供給アーキテクチャの開発において、NVIDIAと協業します。AIによって技術革新が進む中、それを支える周辺技術にも進化が求められていますが、ロームは半導体分野の重要な1社として、システム開発をサポートします。

同アーキテクチャは、高効率かつ拡張性が高い電力供給システムであり、メガワット級のAIファクトリーの実現も可能なことから、今後のデータセンター設計に画期的な転換をもたらすものと期待されています。

ロームは、シリコン（Si）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）まで幅広いパワーデバイスを取り揃えており、データセンターの設計においても最適な選択が可能です。
Si MOSFETは、コスト効率や信頼性の高い製品として、既に自動車や産業機器市場の電力変換用途に広く採用されています。価格、効率、信頼性のバランスが求められるアプリケーションに適しており、現在のようなAIインフラ開発の変革期に最適な製品群となっています。
その代表が、世界的なクラウドプラットフォーム企業の推奨部品に認定された「RY7P250BM」です。同製品は、AIサーバーに不可欠なホットスワップ回路向けに設計された48V電源システム用100VパワーMOSFETで、業界最高クラスのSOA（安全動作領域）性能と、1.86mΩという超低オン抵抗をコンパクトな8080パッケージで実現しています。高密度かつ高可用性が求められるクラウドプラットフォームにおいて、電力損失の低減やシステムの信頼性向上に貢献します。

SiCデバイスが得意とするのが、産業用途など高電圧・大電流が必要になる領域の低損失化です。NVIDIAの800V HVDCアーキテクチャは、1MWを超えるサーバーラックに電力供給する必要があり、これらを大規模に展開する計画を進めるうえでも重要な役割を果たします。この新インフラの核となるのは、送電網の13.8kV交流を直接800V直流に変換する点ですが、従来の54Vラック電源システムは、物理的スペースの制約（小型化）のほか、銅の使用量、電力の変換損失などが課題となっていました。
ロームのSiC MOSFETは、高電圧・高電力環境において優れた性能を発揮し、スイッチング損失と導通損失の低減によって高効率化のほか、コンパクトで高密度なシステムに適した高い信頼性を実現します。これらの特性は、NVIDIAの800V HVDCアーキテクチャが掲げる「銅使用量の削減」、「エネルギー損失の最小化」、「データセンター全体での電力変換の簡素化」といった課題解決にも合致するものです。

さらにSiCを補完する形で、GaN技術の開発も進めており、EcoGaN™シリーズとして、150Vおよび650VのGaN HEMT、ゲートドライバのほか、これらを統合したパワーステージICをラインアップ。SiCが高電圧・大電流用途に最適である一方、GaNは100V～650Vの範囲で性能を発揮し、優れた絶縁破壊強度や低オン抵抗、超高速スイッチングを実現します。さらに、独自のNano Pulse Control™技術により、スイッチング性能をさらに向上させ、パルス幅は最小2nsまで短縮可能です。これらは、小型・高効率な電源システムを求めるAIデータセンターのニーズに対応します。

デバイスに加え、第4世代SiCチップを搭載した上面放熱タイプのHSDIP20など、高出力なSiCモジュールもラインアップしています。これら1200V SiCモジュールは、LLC方式のAC-DCコンバータやプライマリDC-DCコンバータに最適化されており、高効率・高密度の電力変換にも対応。その優れた放熱性と拡張性により、NVIDIAのアーキテクチャで想定される800V送配電システムなど、メガワット級以上のAIファクトリーに最適です。

800V HVDCインフラは、業界全体の協業によって実現される取り組みです。ロームは、次世代AIファクトリーを実現する重要なパートナーの1社として、NVIDIAのような業界リーダーのほか、データセンター事業者や電源メーカーとも緊密に連携してまいります。中でも得意とするSiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体の最先端技術を提供することで、持続可能でエネルギー効率の高いデジタル社会の実現に貢献します。

本件に関連するロームのウェブサイト

・AIサーバー向けMOSFET「RY7P250BM」について
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2025-05-22_news_mosfet&defaultGroupId=false

・ロームのSiCパワーデバイスについて
https://www.rohm.co.jp/products/sic-power-devices

・ロームのGaNパワーデバイスについて
https://www.rohm.co.jp/products/gan-power-devices

・SiCモジュール「HSDIP20」について
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2025-04-24_news_hsdip&defaultGroupId=false