Phase-Shifted Full Bridge Converter (Diode Rectification)
説明
1次側の左右のleg間に位相シフトを設け、重なった期間だけ2次側に電力を供給する回路です。各legのDutyは50％近傍で固定なため、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）動作ができるため、高電圧(400VDC系など）、数kWのアプリケーションにマッチしています。EVのOBCやサーバ用DC-DCなどによく使われます。ZVS動作に1次側にインダクタが必要です。
概要
- Zero Voltage Switching (ZVS)動作
- 双方のHalf Bridge間で位相をずらし、電圧と電流を制御
- 絶縁トランスによって大きな降圧比を実現
- 96%程度の変換効率
- 周波数: 100~150kHz
- SJ-MOSFETには堅牢かつ高速なボディダイオードが必要 --> PrestoMOS
回路
主要製品
| Product Category | Product family | Product Number | Feature |
|---|---|---|---|
| Primary Side | 750V SiC MOSFET | SCT4xxxDx series NEW | MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。 |
| 650V SiC MOSFET | SCT3xxxAx series | トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗（50%低減）です。 | |
| Secondary Side | 30~200V SBD | RBQ, RBxx8 series | 超低IRのSBDは整流用に適しており、RBxx8シリーズは幅広い電圧選択が可能です。 |
| Gate Driver | 3750V voltage tolerance | BM61x4xRFV | 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能。 |
シミュレーション
C-019: Phase-Shifted Full Bridge Converter (Diode Rectification)
関連トポロジー
LLC Converter (Full Bridge, Synchronous FETs)