Dual Active Bridge Converter (DAB)
説明
この コンバータはトランスの1次側と2次側にブリッジをもつ回路です。基準相(1次側ブリッジ）と制御相(2次側ブリッジ）の位相を制御することで双方向の電力変換を行う回路です。ZVS動作が可能で、EVやパワーコンディショナーのような大電圧・大容量の蓄電システムの電源回路によく用いられます。
Overview
- 双方向動作が可能
- SiC MOSFET採用で高効率を実現
- バッテリ電圧によってセカンダリ側の出力電圧は変更
- DAB回路を積み上げることで、より高電圧に対応することが可能
回路
主要製品
| Product Category | Product family | Product Number | Feature |
|---|---|---|---|
| Transistor (Primary side) | 1200V SiC MOSFET | SCT4xxxKx series NEW | 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。1200V耐圧をサポートし高電圧アプリケーションに最適です。 |
| SCT3xxxKx series | 1200V SiC MOSFET 高耐圧・低損失品です。 | ||
| SiC Power module | BSMxxD12/D17Pxx | ハーフブリッジトポロジ構成の1200V/1700V SiCパワーモジュール。 | |
| Transistor (Secondary side) | 750V SiC MOSFET | SCT4xxxDx series NEW | 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。 |
| 650V SiC MOSFET | SCT3xxxAx series | トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗（50%低減）です。 | |
| SiC Power module | BSMxxD12/D17Pxx | ハーフブリッジトポロジ構成の1200V/1700V SiCパワーモジュール。 | |
| Gate Driver | 3750V voltage tolerance | BM61x4xRFV | 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能 |
シミュレーション
Coming soon