ROHM Product Detail

新規設計非推奨 DTC124ECA
NPN, SOT-23, R1=R2 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

主な仕様

 
形名 | DTC124ECAT116
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | SST3
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

TO-236AB (SOT-23)

Number of terminal

3

Polarity

NPN

Supply voltage VCC 1[V]

50

Collector current Io (Ic) [A]

0.1

Input resistance R1 1 [kΩ]

22

Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

22

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

50

Collector current Io(Ic) [A]

0.1

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Mounting Style

Surface mount

Output Current [A]

0.03

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.4x2.9 (t=1.2)

特長:

  • NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
  • 内蔵抵抗:R1= R2= 22kΩ。
  • バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(内部回路図参照)
  • 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができるため、回路の設計が容易に行える。
  • コンプリメンタリ:DTA124ECA(PNPタイプ)