NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) - DTC013ZEB | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) - DTC013ZEB
NPN 100mA 50V デジタルトランジスタ（抵抗内蔵トランジスタ）
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-416FL
JEITAパッケージ
SC-89
パッケージサイズ[mm]
1.6x1.6(t=0.7)
端子数
3
極性
NPN
電源電圧 VCC [V]
50.0
コレクタ電流1[A]
0.1
入力抵抗 R1 [kΩ]
1.0
ベース抵抗 R2 [kΩ]
10.0
許容損失 PD [W]
0.15
実装方式
Surface mount
出力電流 IO [A]
0.1
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
1) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。（内部回路図参照）2) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗によって構成されているため、正負の電圧を入力できる。また寄生効果がほとんど生じない利点がある。
3) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができるため、回路の設計が容易に行える。
4) コンプリメンタリ: DTA013Zシリーズ
5) Pbフリー対応済み/RoHS準拠