BSM180D12P2E002
1200V, 204A, ハーフブリッジ フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-DMOSFETとSiCショットキーバリアダイオードを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM180D12P2E002
供給状況 | 推奨品
パッケージ | E
包装数量 | 4
最小個装数量 | 4
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

204

PD [W]

1360

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Half bridge

パッケージサイズ [mm]

152x57.95 (t=18)

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特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

評価ボード

 
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    • AgileSwitch 2ASC-12A1HP / EDCA1

    • For BSM series (1200V, E / G type)
      Core Driver : 2ASC-12A1HP
      Adapter Board : EDCA1

    • Drive Board
    • BSMGD2G12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD2G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 2nd Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module

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    • Snubber Module
    • MGSM1D72J2-145MH16

    • BSM series (1200V, E / G type)

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    • TAMURA 2DU series

    • For BSM series (1200V, C / E / G type)

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