ROHM Product Detail

BSM120C12P2C201
1200V, 134A, チョッパ フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-DMOSFETとSiCショットキーバリアダイオードを用いたチョッパ構成のSiC MOSFETモジュールです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
データシート 在庫確認*

主な仕様

 
形名 | BSM120C12P2C201
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C Type
包装形態 | 段ボール
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

134

Total Power Dissipation[W]

935

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Chopper

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

Find Similar

特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Drive Board - BSMGD3C12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

    • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH26

    • Snubber Module for BSM series (1200V, C type)

    • Drive Board - TAMURA 2DU series

    • Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)

    •
X

Most Viewed